主营产品
——PAG
光酸/光致产酸剂
——Zr Precursor
锆前驱体
——BARC Resin
BARC层树脂
——PI
光引发剂
——公司主营核心产品为EUV级别（5-7nm）和ArF/KrF级别（14nm/0.35μm）光刻胶关键原材料
Photo Acid Generator
光刻胶核心材料
应用：KrF, ArF, EUV, E-beam光刻胶
高介电材料的锆前驱体
应用: 存储芯片电容
防反射涂层的核心材料
应用: 半导体BARC层光刻胶
光引发聚合反应的核心材料
应用: FPD与PR彩色滤光反应的有机绝缘材料
中国总部及研发中心
地址：苏州市工业园区金鸡湖畔
面积：2000m²
配备黄光实验室/千级洁净间/ICP-MS等全套测试设备
地址：苏州市工业园区金鸡湖畔
面积：2000m²
配备黄光实验室/千级洁净间/ICP-MS等全套测试设备
中国量产基地
地址：合肥市新站高新区
面积：50亩
具备年产100吨半导体光刻主材生产能力
地址：合肥市新站高新区
面积：50亩
具备年产100吨半导体光刻主材生产能力
韩国量产工厂
地址：韩国堤川市
面积：16100m²
具备20年量产经验及研发能力，
确保稳定交付日韩光刻胶客户
地址：韩国堤川市
面积：16100m²
具备20年量产经验及研发能力，
确保稳定交付日韩光刻胶客户
产能布局
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核心技术
——
20 年ArF/KrF半导体光刻胶核心主材量产经验
上百种PAG/PI/RESIN/TAG等量产产品
根据客户需求定制化的方案及产品开发能力
上百种
定制化
20 年
金属杂质控制技术
· 32种金属离子含量可实现＜5ppb
· 单一产品金属离子总含量可实现<10ppb
超高纯度合成/制造技术
· 合成纯度＞99.5%
湿度技术控制
· 生产湿度控制精度：＜0.1%
先进的工艺设计技术
· 具备定制化合成能力
· 具备自主设计与精炼能力
多项关键技术突破
——
品质保障
——苏州总部研发中心面积为2000平方米，集研发、测试、试验、分装和展示于一体。
技术团队已合成多款产品，达到客户技术指标要求。
苏州研发中心配备从美国、德国、日本等地进口的世界一流研发检测设备。公司技术及QC团队来自国内外知名龙头光刻材料企业，具备专业的研发、质量控制和测试能力。
"国内领先的研发供应能力"
"国际一流的生产品控能力"
行业资讯
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专利
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