产品展示
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半导体光刻胶用光酸PAG
半导体光刻胶用树脂
面板光刻胶用PI
关键中间体/单体
半导体光刻胶用光酸PAG
半导体光刻胶用树脂
面板光刻胶用PI
关键中间体/单体
光刻胶产业链
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光刻工艺是半导体核心工艺制程(占芯片生产成本的35%,耗时的40-60%),光刻胶是光刻工艺核心材料(是芯片性能、成品率和可靠性的关键环节),广泛应用在半导体、显示面板、PCB等领域,由核心主材“光酸PAG”“光引发剂PI”“树脂”等构成。
产业链流程
01
02
03
04
05
基础/精细化工
基础化工原料
光刻胶原材料
光酸PAG
感光树脂
溶剂等
电子材料
PCB光刻胶
LCD光刻胶
半导体光刻胶
下游制造
PCB
LCD
IC芯片
终端
消费电子、家用电器、
信息资讯、汽车电子、航空等
光刻胶分类及应用
半导体光刻胶
竞争格局
TOK(EUV, ArF, KrF, i-Line)23%
JSR(EUV, ArF, KrF, i-Line)21%
DUPONT(EUV, ArF, KrF, i-Line)16%
住友(EUV, ArF, KrF, i-Line)15%
信越化学(EUV, ArF, KrF)10%
富士胶片(EUV, ArF)8%
Merck、Irresistable M.、Allresist、Ever-light
其他 2.5%
中国 1 %
南大光电、晶瑞瑞红、欣奕华、彤程、新阳、飞凯、雅克、恒坤、博康……
SDI、DongJin、SKMP、YoungChang、Kotem(Yoke)、Samyangsa
韩国 4.5%
其他
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>90%
美日
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半导体光刻胶关键原材料 竞争格局
Midori、富士和光、东洋合成、 东邦化学、丸善化学、DNF、艾迪科
贺利氏、BASF
32%
德国
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49%
日本
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美源、 MECARO、 ENF、 NC chem、韩国威迈、TAKOMA
韩国
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17%
强力新材、威迈芯材
中国
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2%
总体竞争格局:海外垄断,国内稀缺
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威迈芯材:首家中韩PAG量产供应商
光刻胶产业国产化突破关键:核心材料国产化
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半导体光刻胶的性能和质量很大程度取决于其关键原材料光酸PAG和树脂Resin,当前基本由国外企业所垄断,高端系列几乎100%进口采购,
核心原材料取得难度大、成本高,成为限制国内光刻胶产业发展的关键壁垒之一。
随着中美产业脱钩及日企产能吃紧,高端产品开始断供中国客户,中国半导体光刻胶核心主材的国产化迫在眉睫。
Solvent  溶剂
溶解光刻胶的各组成部分,同时也是后续光刻化学反应的介质
PAG/PAC/PI    光酸/光引发剂
核心主原料为光酸/光引发剂,根据光刻胶类型不同分为:
-EUV/ArF/KrF:PAG  
-I line :PAG & PAC
-g line:PAC
-LCD:PI
光刻胶主要原材料
Resin  树脂
其他辅助添加剂等
用于调节光化学反应的活性稀释剂及其他控制光刻胶特性的化学添加剂
惰性聚合物,用于粘合光刻胶中的不同成分, 提高光刻胶的化学抗蚀性和胶膜厚度等基本性能
原料
说明
量产产品
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公司主营核心产品为高端半导体光刻胶关键原材料,包括光酸PAG、BARC树脂、光引发剂PI等上百款量产产品,
材料品质覆盖高精密的EUV级别(5-7nm)和DUV(ArF/KrF)级别(14nm/130μm)
树脂合成技术
分子结构设计、化学合成及一致性的管控
光敏剂合成技术
金属离子含量的控制
配方设计及工艺控制技术
化工原料配比、纯度的控制
当前光刻胶材料技术突破口主要包括
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规格型号

光刻胶组分的理化性质

聚合物特性

粘度

含水量

增感剂浓度

金属离子含量

溶剂组成

粘附性




分辨率





抗蚀性



图像稳定性





针孔





光敏性





涂层厚度







专利
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地址:苏州工业园区苏虹西路9号7幢                                                        电话:0512-60858818                                                             邮箱:ir@weimas.cc